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NSVJ6904DSB6T1G

更新时间： 2024-11-30 11:16:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 233K
描述
N 沟道 JFET，-25 V，20 至 40 mA，40 mS，双路

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NSVJ6904DSB6T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.52
其他特性：LOW NOISE配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大漏极电流 (ID)：0.05 AFET 技术：JUNCTION
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：0.7 W
最大功率耗散 (Abs)：0.7 W参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NSVJ6904DSB6T1G 数据手册

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N-Channel JFET  
−25 V, 20 to 40 mA, 40 mS, Dual  
NSVJ6904DSB6  
The NSVJ6904DSB6 is a composite type of JFET designed for  
compact size and high efficiency which can achieve high gain  
performance. This AEC−Q101 qualified and PPAP capable device is  
suited for automotive applications.  
www.onsemi.com  
ELECTRICAL CONNECTION  
Features  
N−Channel  
• Large | yfs |  
• Small Ciss  
• Ultralow Noise Figure  
• CPH6 Package is Pin−Compatible with SC−74  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• Mounting Area is Greatly Reduced by Incorporating Two JFETs of  
the NSVJ3910SB3 in One Package of CPH6 Compared with Using  
Two Separate Packages  
6
1
5
4
1 : Drain 1  
2 : NC  
3 : Drain 2  
4 : Gate 2  
5 : Source 1 / Source 2  
6 : Gate 1  
2
3
Typical Applications  
MARKING  
DIAGRAM  
• AM Tuner RF Amplification  
• Low Noise Amplifier  
Specifications  
6
5
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
a
1
2
3
CPH6  
Symbo  
l
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Value  
25  
Unit  
V
CASE 318BD  
V
DSX  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 4 of this data sheet.  
Gate to Drain Voltage  
V
−25  
10  
V
GDS  
Gate Current  
I
G
mA  
mA  
mW  
mW  
Drain Current  
I
D
50  
Allowable Power Dissipation 1 unit  
Total Power Dissipation  
Operating Junction and Storage Temperature  
P
400  
700  
D
P
T
T
T
−55 to +150 °C  
J, Stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
July, 2019 − Rev. 1  
NSVJ6904DSB6/D  
123456

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