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Datasheet > 逻辑 > 移位寄存器> NLV14015BDR2G
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NLV14015BDR2G

更新时间： 2024-09-16 11:01:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管逻辑集成电路触发器移位寄存器
页数 文件大小 规格书
8页 107K
描述
双 4 位静态移位寄存器

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NLV14015BDR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP16,.25
针数：16Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.68计数方向：RIGHT
系列：4000/14000/40000JESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e3长度：9.9 mm
逻辑集成电路类型：SERIAL IN PARALLEL OUT最大频率@ Nom-Sup：1500000 Hz
湿度敏感等级：1位数：4
功能数量：2端子数量：16
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP16,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5/15 V
传播延迟（tpd）：750 ns认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.75 mm
子类别：Shift Registers最大供电电压 (Vsup)：18 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发器类型：POSITIVE EDGE宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

NLV14015BDR2G 数据手册

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MC14008B  
4−Bit Full Adder  
The MC14008B 4−bit full adder is constructed with MOS  
P−Channel and N−Channel enhancement mode devices in a single  
monolithic structure. This device consists of four full adders with fast  
internal look−ahead carry output. It is useful in binary addition and  
other arithmetic applications. The fast parallel carry output bit allows  
high−speed operation when used with other adders in a system.  
http://onsemi.com  
Features  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Look−Ahead Carry Output  
• Diode Protection on All Inputs  
• All Outputs Buffered  
16  
1
PDIP−16  
P SUFFIX  
CASE 648  
MC14008BCP  
AWLYYWWG  
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc  
• Capable of Driving Two Low−Power TTL Loads or One  
Low−Power Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range  
• Pin−for−Pin Replacement for CD4008B  
• Pb−Free Packages are Available*  
16  
SOIC−16  
D SUFFIX  
CASE 751B  
14008BG  
AWLYWW  
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V  
)
SS  
Symbol  
Parameter  
Value  
−0.5 to +18.0  
Unit  
V
1
V
DC Supply Voltage Range  
DD  
V , V  
in out  
Input or Output Voltage Range  
(DC or Transient)  
−0.5 to V + 0.5  
V
DD  
A
WL, L  
YY, Y  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
I , I  
in out  
Input or Output Current  
(DC or Transient) per Pin  
10  
mA  
WW, W = Work Week  
P
Power Dissipation, per Package  
(Note 1)  
500  
mW  
G
= Pb−Free Indicator  
D
T
Ambient Temperature Range  
Storage Temperature Range  
−55 to +125  
−65 to +150  
260  
°C  
°C  
°C  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
T
stg  
T
Lead Temperature  
(8−Second Soldering)  
L
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. Temperature Derating:  
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/_C From 65_C To 125_C  
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high  
static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid  
applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this  
high−impedance circuit. For proper operation, V and V should be constrained  
in  
out  
to the range V v (V or V ) v V  
.
DD  
SS  
in  
out  
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level  
(e.g., either V or V ). Unused outputs must be left open.  
SS  
DD  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
August, 2005 − Rev. 6  
MC14008B/D  
 
12345678

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