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NGTB10N60FG

更新时间： 2024-01-20 14:17:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 448K
描述
IGBT N 沟道，600V，10A，VCE(sat)=1.5V，TO-220F-3FS

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NGTB10N60FG 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：2.06
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：600 V门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 V最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NGTB10N60FG 数据手册

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NGTB10N60FG  
N-Channel IGBT  
600V, 10A, V (sat);1.5V, TO-220F-3FS  
CE  
www.onsemi.cn  
主要特长  
IGBT V  
(sat)=1.5V typ. (I =10A, V =15V) Diode V =1.3V typ.(I =10A)  
GE  
CE  
C
F
F
IGBT I =20A (Tc=25C)  
Diode t =70ns typ.  
C
rr  
适应全绝缘型封装  
5s抗短路能力  
增强型 (Enhancement type)  
应用  
白物家电的功率因数校正  
通用变频器 (General purpose inverter)  
规格  
绝对最大额定值/ Ta = 25C (除非特殊指定)  
TO-220F-3FS  
参数  
记号  
条件  
值
单位  
V
Collector-Emitter 电压  
Gate-Emitter 电压  
V
V
600  
20  
20  
CES  
GES  
1
V
@ Tc=25C *2  
受限于Tjmax  
A
Collector 电流(DC)  
I
*
C
@ Tc=100C *2  
10  
A
Collector 电流(脉冲)  
I
I
受限于Tjmax 的脉宽  
72  
A
CP  
O
二极管平均输出电流(Diode Average output current)  
允许功耗(Allowable Power Dissipation)  
结温(Junction Temperature)  
10  
A
P
Tc=25C (我司理想的散热条件) *2  
40  
W
C  
C  
D
Tj  
150  
储存温度(Storage Temperature)  
Tstg  
- 55 to +150  
注:  
*1 Collector 电流由下式计算:  
Tjmax - Tc  
I (Tc)=  
C
R (j-c)×  
th  
V
(sat) (I (Tc))  
C
CE  
*2 我司的条件为背面散热。方法为:器件的背面涂上硅脂, 然后将该器件贴在铝制的水冷散热器上。  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed,  
damage may occur and reliability may be affected.  
电气特性/ Ta = 25C (除非特殊指定)  
值
参数  
记号  
条件  
单位  
min  
600  
typ  
max  
集电极-发射极击穿电压  
V(  
)
I
=500A, V =0V  
C GE  
V
BR CES  
(Collector to Emitter Breakdown Voltage)  
Tc=25C  
10  
A  
集电极-发射极截止电流  
I
I
V
V
V
V
=600V, V =0V  
GE  
CES  
CE  
GE  
CE  
GE  
(Collector to Emitter Cutoff Current)  
Tc=125C  
1
mA  
栅极-发射极漏电流  
=20V, V  
=0V  
100  
nA  
V
GES  
CE  
(Gate to Emitter Leakage Current)  
栅极-发射极阈值电压  
V
(off)  
GE  
=20V, I =250A  
4.5  
6.5  
1.7  
C
(Gate to Emitter threshold voltage)  
Tc=25C  
1.5  
V
V
集电极-发射极饱和电压  
V
V
(
)
=15V, I =10A  
C
CE sat  
(Collector to Emitter Saturated Voltage)  
Tc=125C  
1.7  
1.3  
正向二极管电压(Forward Diode Voltage)  
输入电容(Input Capacitance)  
I =10A  
F
V
F
Cies  
Coes  
Cres  
1440  
60  
pF  
pF  
pF  
输出电容(Output Capacitance)  
V
CE  
=20V,f=1MHz  
反向传输电容(Reverse Transfer Capacitance)  
30  
接下页  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
September 2015 - Rev. 1  
1
Publication Order Number :  
NGTB10N60FGCN/D  
123456

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