5秒后页面跳转
NE68830-T1 PDF预览

NE68830-T1

更新时间: 2024-09-27 20:33:19
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 458K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN

NE68830-T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.46
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:0.85 pF
集电极-发射极最大电压:6 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):80最高频带:C BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9000 MHzBase Number Matches:1

NE68830-T1 数据手册

 浏览型号NE68830-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE68830-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE68830-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE68830-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE68830-T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE68830-T1的Datasheet PDF文件第7页 

与NE68830-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE68830-T1-A CEL

获取价格

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68830-T2 CEL

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE68833 NEC

获取价格

S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, 33, 3 PIN
NE68833-T1 CEL

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE68833-T1 NEC

获取价格

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68833-T1-A CEL

获取价格

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68833-T2 CEL

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN
NE68839 NEC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, 3
NE68839R NEC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, 3
NE68839R-T1 CEL

获取价格

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR