5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 0.85 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 6 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE68830-T1-A | CEL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| NE68830-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN |
|
| NE68833 | NEC |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, 33, 3 PIN |
|
| NE68833-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN |
|
| NE68833-T1 | NEC |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| NE68833-T1-A | CEL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| NE68833-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN |
|
| NE68839 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, 3 |
|
| NE68839R | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, 3 |
|
| NE68839R-T1 | CEL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
