生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.83 | 其他特性: | LOW NOISE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 3 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.02 A | FET 技术: | HETERO-JUNCTION |
最高频带: | KU BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp): | 9 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE4210S01 | NEC |
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X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE4210S01 | CEL |
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SUPER LOW NOISE HJ FET |
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NE4210S01 | RENESAS |
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NE4210S01 |
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NE4210S01-A | NEC |
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暂无描述 |
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NE4210S01-T1 | NEC |
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X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE4210S01-T1 | CEL |
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SUPER LOW NOISE HJ FET |
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NE4210S01-T1-A | NEC |
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暂无描述 |
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NE4210S01-T1B | NEC |
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X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE4210S01-T1B | CEL |
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SUPER LOW NOISE HJ FET |
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NE4211M01 | ETC |
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Discrete |
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