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NE4210S01

更新时间： 2024-02-13 06:59:57

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SUPER LOW NOISE HJ FET

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NE4210S01 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.015 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	X-PXMW-G4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE4210S01 数据手册

NEC's SUPER LOW NOISE HJ FET NE4210S01

OUTLINE DIMENSION (Units in mm)

FEATURES

• SUPER LOW NOISE FIGURE:

0.50 dB TYP at f = 12 GHz

PACKAGE OUTLINE SO1

2.0 – 0.2

• HIGH ASSOCIATED GAIN:

13.0 dB TYP at f = 12 GHz

• GATE LENGTH: LG ≤ 0.20 µm

• GATE WIDTH: WG = 160 µm

2.0 – 0.2

0.5

TYP

DESCRIPTION

2.0–0.2

NEC'S NE4210S01 is a pseudomorphic Hetero-Junction FET

thatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundoped

InGaAs to create very high mobility electrons. The device

features mushroom shaped TiAl gates for decreased gate

resistance and improved power handling. Its excellent low

noise figure and high associated gain make it suitable for DBS

and commercial systems. The NE4210S01 is housed in a low

cost plastic package which is available in tape and reel.

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

0.65 TYP

1.9 – 0.2

1.6

NEC's stringent quality assurance and test procedures assure

the highest reliability and performance.

0.125 – 0.05

1.5 MAX

0.4 MAX

4.0 – 0.2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE4210S01

S01

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

Associated Gain¹, VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz

Noise Figure¹, VDS = 2 V, ID = 10 mA, f = 12 GHz

Transconductance, VDS = 2 V, ID = 10 mA

UNITS

MIN

TYP

13.0

0.50

MAX

11.0

0.70

IDSS

Saturated Drain Current, VDS = 2 V, VGS = 0 V

Gate to Source Cutoff Voltage, VDS = 2 V, ID = 100 µA

Gate to Source Leakage Current, VGS = -3 V

-2.0

-0.2

-0.7

0.5

IGSO

µA

Note:

1. Typical values of noise figures and associated gain are those obtained when 50% of the devices from a large number of lots were individually

measured in a circuit with the input individually tuned to obtain the minimum value. Maximum values are criteria established on the production line

as a "go-no-go" screening tuned for the "generic" type but not each specimen.

California Eastern Laboratories

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