Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE425S01-T1

NE425S01-T1

更新时间： 2024-02-03 19:43:57

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	59K
描述
C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE425S01-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	X-PXMW-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	MICROWAVE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	10.5 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE425S01-T1 数据手册

DATA SHEET

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE425S01

C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The NE425S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the

hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent

low noise and high associated gain make it suitable for DBS

and another commercial systems.

(Unit: mm)

2.0 ±0.2

FEATURES

•

Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.60 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. at f = 12 GHz

Gate Length: L^g≤ 0.20 µm

•

Gate Width : W^g= 200 µm

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

NE425S01-T1

NE425S01-T1B

SUPPLYING FORM

MARKING

Tape & reel 1000 pcs./reel

Tape & reel 4000 pcs./reel

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

0.65 TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

1.9 ±0.2

1.6

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

VDS

VGS

I^D

4.0

–3.0

IDSS

µA

˚ C

0.125 ±0.05

Gate Current

I^G

100

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Ptot

T^ch

Tstg

165

0.4MAX

125

4.0 ±0.2

–65 to +125

RECOMMENDED OPERATING CONDITION (TA = 25 ˚C)

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

Drain Current

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

VDS

dBm

Input Power

Document No. P11161EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published October 1996 N

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与NE425S01-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE425S01-T1B	NEC	获取价格	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE428M01-T1	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL, FET
NE429M01	NEC	获取价格	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE429M01-T1	NEC	获取价格	C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE434S01	NEC	获取价格	C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01_98	NEC	获取价格	C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
NE434S01-T1	NEC	获取价格	C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE434S01-T1B	NEC	获取价格	C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET