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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE46100
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NE46100

更新时间： 2024-01-06 08:47:04
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
页数 文件大小 规格书
10页 139K
描述
NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR

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NE46100 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.40风险等级：5.84
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.25 A
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-XUUC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5500 MHz
Base Number Matches：1

NE46100 数据手册

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NEC's NPN MEDIUM POWER  
MICROWAVE TRANSISTOR  
NE46100  
NE46134  
NE46134  
TYPICAL OUTPUT POWER  
vs. INPUT POWER  
FEATURES  
• HIGH DYNAMIC RANGE  
f = 1.0 GHz, IC = 100 mA  
30.0  
• LOW IM DISTORTION: -40 dBc  
• HIGH OUTPUT POWER : 27.5 dBm at TYP  
• LOW NOISE: 1.5 dB TYP at 500 MHz  
• LOW COST  
12.5 V  
10 V  
5 V  
28.0  
26.0  
24.0  
22.0  
20.0  
18.0  
16.0  
DESCRIPTION  
NEC's NE461 series of NPN silicon epitaxial bipolar transis-  
tors is designed for medium power applications requiring high  
dynamic range. This device exhibits an outstanding combina-  
tion of high gain and low intermodulation distortion, as well as  
low noise figure. The NE461 series offers excellent perfor-  
mance and reliability at low cost through NEC's titanium,  
platinum, gold metallization system and direct nitride passiva-  
tion of the surface of the chip. Devices are available in a low  
cost surface mount package (SOT-89) as well as in chip form.  
14.0  
12.0  
5
10  
15  
20  
25  
Input Power, PIN (dBm)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
EIAJ1 REGISTERED NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
NE46100  
00 (CHIP)  
NE46134  
2SC4536  
34  
SYMBOLS  
fT  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX  
Gain Bandwidth Product at VCE = 10 V, IC = 100 mA  
GHz  
5.5  
5.5  
NFMIN  
Minimum Noise Figure3 at VCE = 10 V, IC = 50 mA, 500 MHz  
VCE = 10 V, IC = 50 mA, 1 GHz  
dB  
dB  
1.5  
2.0  
1.5  
2.0  
GL  
Linear Gain, VCE = 12.5 V, IC = 100 mA, 2.0 GHz  
VCE = 12.5 V, IC = 100 mA, 1.0 GHz  
dB  
dB  
9.0  
8.0  
5.5 7.0  
40  
|S21E|2  
hFE  
Insertion Power Gain at 10 V, 50 mA, f = 1.0 GHz  
DC Current Gain2 at VCE = 10 V, IC = 50 mA  
dB  
10.0  
40  
200  
5.0  
5.0  
200  
5.0  
5.0  
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current at VCB = 20 V, IE = 0 mA  
Emitter Cutoff Current at VEB = 2 V, IC = 0 mA  
.
µA  
µA  
P1dB  
Output Power at 1 dB Compression, VCE = 12.5 V, IC = 100 mA, 2.0 GHz  
VCE = 12.5 V, IC = 100 mA, 1.0 GHz  
dBm  
dBm  
27.0  
27.5  
IM3  
Intermodulation Distortion, 10 V, 100 mA, F1 = 1.0 GHz, F2 = 0.99 GHz,  
Total POUT = 20 dBm  
dBc  
°C/W  
°C/W  
-40.0  
-40.0  
RTH (J-C)  
RTH (J-A)  
Thermal Resistance (Junction to Case)  
Thermal Resistance (Junction to Ambient)  
30  
32.5  
312.5  
Notes:  
1. Electronic Industrial Association of Japan.  
2. Pulsed: PW ≤ 350 ms, Duty Cycle ≤ 2%  
3. RS = RL = 50 Ω untuned  
1234567...10

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