是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.3 | 其他特性: | LOW NOISE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 3 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.02 A | FET 技术: | HETERO-JUNCTION |
最高频带: | KU BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp): | 9 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE429M01-T1-A | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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NE434S01 | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE434S01_98 | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET |
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NE434S01-T1 | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE434S01-T1B | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE4558 | NXP |
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Dual general-purpose operational amplifier |
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NE4558D | NXP |
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Dual general-purpose operational amplifier |
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NE4558D-T | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, |
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NE4558FE-B | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, 7500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8 |
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NE4558N | NXP |
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Dual general-purpose operational amplifier |
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