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NE46734-T1

更新时间: 2024-02-03 06:09:27
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 117K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NE46734-T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.15 A
集电极-发射极最大电压:18 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4000 MHzBase Number Matches:1

NE46734-T1 数据手册

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