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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SUPER MINIMOLD, M01, 6 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 4 V |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 9 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE429M01-A | NEC |
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暂无描述 |
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| NE429M01-T1 | NEC |
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C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE429M01-T1-A | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| NE434S01 | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE434S01_98 | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET |
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| NE434S01-T1 | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE434S01-T1B | NEC |
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C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE4558 | NXP |
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Dual general-purpose operational amplifier |
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| NE4558D | NXP |
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Dual general-purpose operational amplifier |
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| NE4558D-T | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, |
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