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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE425S01 | NEC |
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C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE425S01_98 | NEC |
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C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE425S01-T1 | NEC |
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C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE425S01-T1B | NEC |
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C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE428M01-T1 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE429M01 | NEC |
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C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE429M01-A | NEC |
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暂无描述 |
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| NE429M01-T1 | NEC |
获取价格 |
C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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| NE429M01-T1-A | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| NE434S01 | NEC |
获取价格 |
C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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