NE42484A

更新时间： 2024-02-14 08:17:17

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NONLINEAR MODEL

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NE42484A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NE42484A 数据手册

NE42484A

NONLINEAR MODEL

SCHEMATIC

(see Page 2)

FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS ⁽¹⁾

UNITS

Parameter

Units

Parameters

VTO

-0.75

Parameters

2.5

4.1

capacitance

inductance

resistance

picofarads

nanohenries

ohms

VTOSC

ALPHA

BETA

GAMMA

GAMMADC⁽²⁾

0.21

0.09

0.08

2.1

RGMET

MODEL RANGE

Frequency: 0.1 to 16 GHz

Bias:

Date:

VDS = 1 V to 3.5 V, ID = 10 mA to 40 mA

11/15/96

TNOM

XTI

DELTA

VBI

1.2

1.43

1e-14

VTOTC

BETATCE

FFE

RIS

RID

TAU

7e-12

0.15e-12

900

CDS

RDB

CBS

1.1e-10

0.25e-12

0.04e-12

0.3

CGSO⁽³⁾

CGDO⁽⁴⁾

DELTA1

DELTA2

0.5

VBR

Infinity

(1) Series IV Libra TOM Model

The parameter in Libra corresponds to the parameter in PSpice:

(2) GAMMADC

(3) CGSO

GAMMA

CGS

(4) CGDO

CGD

California Eastern Laboratories

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NE42484A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE76038-T1	CEL	功能相似	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
MGF4919G	MITSUBISHI	功能相似	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT

与NE42484A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE42484A-SL	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju
NE42484A-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
NE42484A-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju
NE42484A-T1A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju
NE42484A-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
NE42484C-SL	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju
NE42484C-SL	RENESAS	获取价格	KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
NE42484C-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju
NE42484C-T1	RENESAS	获取价格	KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
NE42484C-T1A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju

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