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NE4210S01

更新时间： 2024-02-05 03:29:18

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NE4210S01

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NE4210S01 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.015 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	X-PXMW-G4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	11 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE4210S01 数据手册

DATA SHEET

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE4210S01

X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION

The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

•

Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz

Gate Length: L^g≤ 0.20 µm

•

Gate Width : W^g= 160 µm

ORDERING INFORMATION (PLAN)

Part Number

Marking

Supplying Form

NE4210S01-T1

NE4210S01-T1B

Tape & reel 1 kp/reel

Tape & reel 4 kp/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order:

NE4210S01)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Symbol

V^DS

V^GS

I^D

Ratings

4.0

Unit

Gate to Source Voltage

Drain Current

–3.0

I^DSS

µA

°C

Gate Current

I^G

100

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

165

T^ch

125

T^stg

–65 to +125

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T^A= +25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Symbol

V^DS

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

–

Drain Current

Input Power

I^D

–

dBm

Pⁱⁿ

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P14232EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark shows major revised points.

Date Published November 1999 N CP(K)

Printed in Japan

1999

12 3 4 5 6 7...16

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NE4210S01 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE4210S01-T1	NEC	功能相似	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE4210S01-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE4210S01-T1	NEC	获取价格	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE4210S01-T1	CEL	获取价格	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE4210S01-T1-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE4210S01-T1B	NEC	获取价格	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE4210S01-T1B	CEL	获取价格	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE4211M01	ETC	获取价格	Discrete
NE4211M01-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE42484A	NEC	获取价格	NONLINEAR MODEL
NE42484A-SL	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju

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