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NCEP040N12D

更新时间: 2024-10-29 17:00:51
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新洁能 - NCEPOWER 栅极
页数 文件大小 规格书
7页 400K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻(RDS(on))与超低栅极电荷(Qg)的特点,结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

NCEP040N12D 数据手册

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NCEP040N12, NCEP040N12D  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
0.61  
/W  
Electrical Characteristics (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
On Characteristics (Note 3)  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=250μA  
VDS=120V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
120  
-
1
V
-
-
-
-
μA  
nA  
IGSS  
±100  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
VDS=VGS,ID=250μA  
2.0  
-
3.0  
3.5  
3.3  
-
4.0  
4.0  
4.0  
-
V
mΩ  
mΩ  
S
TO-220  
TO-263  
VDS=5V,ID=75A  
Drain-Source On-State Resistance  
VGS=10V, ID=75A  
Forward Transconductance  
Dynamic Characteristics (Note4)  
Input Capacitance  
85  
Clss  
Coss  
Crss  
-
-
-
8760  
620  
70  
-
-
-
PF  
PF  
PF  
VDS=60V,VGS=0V,  
F=1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 4)  
Turn-on Delay Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
-
-
-
-
-
-
25  
15  
-
-
-
-
-
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
Turn-on Rise Time  
VDD=60V,ID=75A  
VGS=10V,RG=1.6Ω  
Turn-Off Delay Time  
52  
Turn-Off Fall Time  
17  
Total Gate Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
152  
40  
VDS=60V,ID=75A,  
Gate-Source Charge  
VGS=10V  
Gate-Drain Charge  
47  
Drain-Source Diode Characteristics  
Diode Forward Voltage (Note 3)  
Diode Forward Current (Note 2)  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
VSD  
IS  
VGS=0V,IS=75A  
-
-
-
-
1.2  
V
A
-
150  
trr  
TJ = 25°C, IF = 75A  
di/dt = 100A/μs(Note3)  
74  
-
-
nS  
nC  
Qrr  
164  
Notes:  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. Surface Mounted on FR4 Board, t 10 sec.  
3. Pulse Test: Pulse Width 300μs, Duty Cycle 2%.  
4. Guaranteed by design, not subject to production  
5. EAS condition : Tj=25,VDD=50V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page2  
V2.0  
http://www.ncepower.com  

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