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NCEP048NH150D

更新时间: 2024-09-24 17:01:43
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER
页数 文件大小 规格书
8页 789K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通电阻降低20%以上,ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上,同时具有更优的EMI特性,可以满足

NCEP048NH150D 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCEP048NH150D  
NCE N-Channel Super Trench III Power MOSFET  
Description  
General Features  
● VDS =150V,ID =175A  
The series of devices uses Super Trench III technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
RDS(ON)=3.6mΩ , typical @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
TO-263-2L  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP048NH150D NCEP048NH150D  
TO-263-2L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
150  
±20  
V
V
VGS  
175  
A
ID  
ID (100)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100)  
Pulsed Drain Current  
122  
A
700  
A
Maximum Power Dissipation  
323  
W
PD  
Derating factor  
2.15  
W/℃  
mJ  
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
EAS  
1536  
-55 To 175  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.46  
/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
V1.0  

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