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NCEP048N72

更新时间： 2024-11-24 17:01:27
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 673K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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http://www.ncepower.com  
NCEP048N72  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
The NCEP048N72 uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely  
low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
Schematic diagram  
General Features  
● VDS =72V,ID =110A  
RDS(ON) <4.3mΩ @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
● 100% UIS tested  
Marking and pin assignment  
Application  
● DC/DC Converter  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
TO-220-3L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP048N72  
NCEP048N72  
TO-220-3L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
72  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
110  
85  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
440  
A
Maximum Power Dissipation  
155  
W
PD  
Derating factor  
1.03  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
460  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP048N85 NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
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