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NCEP050N10MG

更新时间： 2024-09-19 15:19:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 654K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP050N10MG  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
The series of devices uses Super Trench II technology that is  
General Features  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
● VDS =100V,ID =120A  
RDS(ON)=4.45mΩ , typical @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
100% UIS TESTED!  
● DC/DC Converter  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
PDFN5X6-8L  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P050N10MG  
NCEP050N10MG  
PDFN5X6-8L  
Ø330mm  
12mm  
5000units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
100  
±20  
V
V
VGS  
120  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
96  
A
480  
A
Maximum Power Dissipation  
145  
W
PD  
Derating factor  
1.16  
980  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.86  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
http://www.ncepower.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP050N12AGU NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP050N12D NCEPOWER

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NCEP050N12GU NCEPOWER

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