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NCEP048NH150T

更新时间： 2024-11-24 15:18:35
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅
页数 文件大小 规格书
8页 806K
描述
新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足

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NCEP048NH150T  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench III Power MOSFET  
Description  
General Features  
● VDS =150V,ID =223A (Silicon Limited)  
The series of devices uses Super Trench III technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
RDS(ON)=3.9mΩ , typical @ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
TO-247-3L  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP048NH150T NCEP048NH150T  
TO-247-3L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
150  
±20  
223  
V
V
A
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
ID  
Drain Current-Continuous (Package Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
180  
156  
A
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
720  
A
Maximum Power Dissipation  
515  
W
PD  
Derating factor  
3.43  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
EAS  
1536  
-55 To 175  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.29  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
v1.0  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP050N10M NCEPOWER

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