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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NCE100-T01-1 | ETC |
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SCHALTNETZTEIL 5V 12A/12V 5A/12V 1.5A |
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| NCE100TD120BTP | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
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| NCE100TD120VTP | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
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| NCE100TD120VTP4 | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
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| NCE1012E* | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE |
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| NCE1013E* | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE |
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| NCE101A10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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| NCE101E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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| NCE106A10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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| NCE106E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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