型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NCE100TD120BTP | NCEPOWER | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
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NCE100TD120VTP | NCEPOWER | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
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NCE100TD120VTP4 | NCEPOWER | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 |
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NCE1012E* | NCEPOWER | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |
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NCE1013E* | NCEPOWER | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |
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NCE101A10K | ETC | Crystal Clock Oscillator |
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