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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NCE106E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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| NCE10G120 | NCEPOWER |
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1200V, 10A, Trench NPT IGBT |
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| NCE10TD60B | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE10TD60BF | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE10TD60BK | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje |
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| NCE1102N | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE |
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| NCE110A10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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| NCE110E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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| NCE111A10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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| NCE111E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator |
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