型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCE10G120 | NCEPOWER |
获取价格 |
1200V, 10A, Trench NPT IGBT | |
NCE10TD60B | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE10TD60BF | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE10TD60BK | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE1102N | NCEPOWER |
获取价格 |
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE110A10K | ETC |
获取价格 |
Crystal Clock Oscillator | |
NCE110E10K | ETC |
获取价格 |
Crystal Clock Oscillator | |
NCE111A10K | ETC |
获取价格 |
Crystal Clock Oscillator | |
NCE111E10K | ETC |
获取价格 |
Crystal Clock Oscillator | |
NCE116A10K | ETC |
获取价格 |
Crystal Clock Oscillator |