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MTP2P50E PDF预览

MTP2P50E

更新时间： 2024-09-08 22:45:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
8页 107K
描述
Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts

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MTP2P50E 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-220AB包装说明：CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.97
其他特性：HIGH VOLTAGE雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MTP2P50E 数据手册

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MTP2P50E  
Preferred Device  
Power MOSFET  
2 Amps, 500 Volts  
P–Channel TO–220  
This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme  
to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading  
performance over time. In addition, this Power MOSFET is designed  
to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.  
The energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a  
fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching  
applications in power supplies, converters and PWM motor controls,  
these devices are particularly well suited for bridge circuits where  
diode speed and commutating safe operating areas are critical and  
offer additional safety margin against unexpected voltage transients.  
http://onsemi.com  
2 AMPERES  
500 VOLTS  
R
= 6 Ω  
DS(on)  
P–Channel  
D
• Robust High Voltage Termination  
• Avalanche Energy Specified  
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
G
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperature  
S
DSS  
DS(on)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
Vdc  
Vdc  
4
V
DSS  
4
Drain  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
500  
GS  
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
V
±20  
±40  
Vdc  
Vpk  
GS  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
– Non–Repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
p
MTP2P50E  
LLYWW  
Drain Current – Continuous  
Drain Current – Continuous @ 100°C  
Drain Current – Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
I
2.0  
1.6  
6.0  
Adc  
Apk  
D
D
I
DM  
p
1
3
1
2
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
75  
0.6  
Watts  
W/°C  
Gate  
Source  
D
3
2
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
J stg  
–55 to  
150  
°C  
Drain  
MTP2P50E  
LL  
Y
WW  
= Device Code  
= Location Code  
= Year  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
80  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
(V  
= 100 Vdc, V  
= 10 Vdc,  
DD  
GS  
= 4.0 Apk, L = 10 mH, R = 25 Ω)  
= Work Week  
I
L
G
Thermal Resistance  
– Junction to Case  
– Junction to Ambient  
°C/W  
°C  
ORDERING INFORMATION  
R
R
1.67  
62.5  
θJC  
θJA  
Device  
MTP2P50E  
Package  
Shipping  
50 Units/Rail  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10  
seconds  
T
260  
L
TO–220AB  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 3  
MTP2P50E/D  
12345678

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MTP2P50E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTP2P50EG ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
NTE2381 NTE

功能相似

 Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch

与MTP2P50E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP2P50E_10 ONSEMI

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 		Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
MTP2P50EG ONSEMI

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 		Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
MTP2P50L MOTOROLA

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 		2A, 500V, 6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2P50N MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTP2P50S MOTOROLA

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 		2A, 500V, 6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2P50U MOTOROLA

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 		暂无描述
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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
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