MTP2P50EG

更新时间： 2024-11-20 12:27:39

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管开关脉冲高压局域网
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7页	193K
描述
Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts

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MTP2P50EG 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.63
Samacsys Description：	MTP2P50EG P-Channel MOSFET Transistor, 2 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB ON Semiconductor	其他特性：	HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：	80 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

MTP2P50EG 数据手册

MTP2P50E

Power MOSFET

2 Amps, 500 Volts

P−Channel TO−220

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme

to provide enhanced voltage−blocking capability without degrading

performance over time. In addition, this Power MOSFET is designed

to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

The energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a

fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching

applications in power supplies, converters and PWM motor controls,

these devices are particularly well suited for bridge circuits where

diode speed and commutating safe operating areas are critical and

offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

http://onsemi.com

2 AMPERES, 500 VOLTS

R_DS(on)= 6 W

P−Channel

Features

• Robust High Voltage Termination

• Avalanche Energy Specified

• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete

Fast Recovery Diode

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• I

and V

Specified at Elevated Temperature

MARKING DIAGRAM

AND PIN ASSIGNMENT

DSS

DS(on)

• This is a Pb−Free Device*

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Drain

Rating

Drain−Source Voltage

Symbol

Value

500

Unit

Vdc

DSS

DGR

Drain−Gate Voltage (R = 1.0 MW)

500

TO−220AB

CASE 221A

STYLE 5

MTP

2P50EG

AYWW

Gate−Source Voltage

− Continuous

Vdc

Vpk

− Non−Repetitive (t ≤ 10 ms)

GSM

Drain Current − Continuous

2.0

1.6

6.0

Adc

Apk

Drain Current − Continuous @ 100°C

Drain Current − Single Pulse (t ≤ 10 ms)

Gate

Source

Total Power Dissipation

Derate above 25°C

0.6

W/°C

Drain

Operating and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

°C

stg

MTP2P50E = Device Code

Single Pulse Drain−to−Source Avalanche

= Assembly Location

Energy − Starting T = 25°C

= Year

(V = 100 Vdc, V = 10 Vdc,

= Work Week

= Pb−Free Package

I = 4.0 Apk, L = 10 mH, R = 25 W)

Thermal Resistance

− Junction−to−Case

− Junction−to−Ambient

°C/W

°C

1.67

62.5

ORDERING INFORMATION

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes, 1/8″ from case for 10 sec

260

Device

MTP2P50EG

Package

Shipping

50 Units/Rail

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

TO−220AB

(Pb−Free)

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Publication Order Number:

May, 2010 − Rev. 6

MTP2P50E/D

12 3 4 5 6 7

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MTP2P50EG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MTP2P50E	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
NTE2381	NTE	功能相似	Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch

与MTP2P50EG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTP2P50L	MOTOROLA	获取价格	2A, 500V, 6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2P50N	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTP2P50S	MOTOROLA	获取价格	2A, 500V, 6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2P50U	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MTP2P50U2	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTP2P50UA	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTP2P50W	MOTOROLA	获取价格	2A, 500V, 6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2P50WC	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTP3	VISHAY	获取价格	Three Phase Bridge (Power Module) 45 A to 100 A
MTP30	NELLSEMI	获取价格	Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier, 30A

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