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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 83K | |
描述 | ||
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SFM | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.21 |
其他特性: | FAST SWITCHING | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 26 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP3055E | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET | |
MTP3055E | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
MTP3055EA | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
MTP3055EA16A | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
MTP3055EAF | MOTOROLA |
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12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP3055EAJ | MOTOROLA |
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12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP3055EC | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
MTP3055ED1 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
MTP3055EL | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
MTP3055ELA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |