5秒后页面跳转
NTE2381 PDF预览

NTE2381

更新时间: 2024-11-20 04:36:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 开关
页数 文件大小 规格书
3页 32K
描述
Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch

NTE2381 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:1.54
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W最大功率耗散 (Abs):75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):200 ns最大开启时间(吨):150 ns
Base Number Matches:1

NTE2381 数据手册

 浏览型号NTE2381的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE2381的Datasheet PDF文件第3页 
NTE2380 (N–Ch) & NTE2381 (P–Ch)  
Complementary Silicon Gate MOSFETs  
Enhancement Mode, High Speed Switch  
Description:  
The NTE2380 (N–Ch) and NTE2381 (P–Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type  
package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regu-  
lators, converters, solenoid, and relay drivers.  
Features:  
D Silicon Gate for Fast Switching Speeds  
D Rugged – SOA is Power Dissipation Limited  
D Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads  
Absolute Maximim Ratings:  
Drain–Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
Drain–Gate Voltage (RGS = 1M), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V  
Drain Current, ID  
Continuous  
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A  
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0A  
Pulsed  
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD  
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.32W/°C  
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6W/°C  
Operating Temperature Range, Topr  
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg  
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC  
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W  
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67°C/W  
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL  
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C  
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C  

NTE2381 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTP2P50EG ONSEMI

功能相似

Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
MTP2P50E ONSEMI

功能相似

Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts

与NTE2381相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE2382 NTE

获取价格

MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2383)
NTE2383 NTE

获取价格

MOSFET P-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2382)
NTE2384 NTE

获取价格

MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2385 NTE

获取价格

MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2386 NTE

获取价格

MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch
NTE2387 NTE

获取价格

MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2388 NTE

获取价格

MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2389 NTE

获取价格

MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE239 NTE

获取价格

Silicon Controlled Switch (SCS)
NTE2390 NTE

获取价格

MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch