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NTE2381

更新时间： 2024-10-01 04:36:03

品牌	Logo	应用领域
NTE		开关栅
页数	文件大小	规格书
3页	32K
描述
Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE2381 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.54
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	75 W	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	200 ns	最大开启时间（吨）：	150 ns
Base Number Matches：	1

NTE2381 数据手册

NTE2380 (N–Ch) & NTE2381 (P–Ch)

Complementary Silicon Gate MOSFETs

Enhancement Mode, High Speed Switch

Description:

The NTE2380 (N–Ch) and NTE2381 (P–Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type

package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regu-

lators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features:

D Silicon Gate for Fast Switching Speeds

D Rugged – SOA is Power Dissipation Limited

D Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

Absolute Maximim Ratings:

Drain–Source Voltage, V_DSS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 1MΩ), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current, I_D

Continuous

NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A

NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0A

Pulsed

NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D

NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.32W/°C

NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6W/°C

Operating Temperature Range, T_opr

NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg

NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC

NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W

NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67°C/W

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L

NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

12 3

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NTE2381 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MTP2P50EG	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
MTP2P50E	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts

与NTE2381相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2382	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2383)
NTE2383	NTE	获取价格	MOSFET P-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2382)
NTE2384	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2385	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2386	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch
NTE2387	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2388	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
NTE2389	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE239	NTE	获取价格	Silicon Controlled Switch (SCS)
NTE2390	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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