是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.77 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A | 最大漏极电流 (ID): | 15 A |
最大漏源导通电阻: | 0.3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 150 W | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTM15N45 | MOTOROLA |
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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
MTM15N45 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1 | |
MTM15N50 | MOTOROLA |
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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
MTM15N50 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1 | |
MTM1N100 | MOTOROLA |
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1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM1N95 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 950V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
MTM20N10 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTM20N15 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTM20P10 | MOTOROLA |
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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
MTM20P10 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 60V 20A |