5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.86 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 630 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 240 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM15N40 | MOTOROLA |
获取价格 |
15A, 400V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
|
| MTM15N40 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1 |
|
| MTM15N40E | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MTM15N45 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MTM15N45 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1 |
|
| MTM15N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MTM15N50 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1 |
|
| MTM1N100 | MOTOROLA |
获取价格 |
1A, 1000V, 10ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| MTM1N95 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 950V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| MTM20N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
