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MTM132270BBF

更新时间： 2024-10-15 19:44:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	253K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PIN

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MTM132270BBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.11 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MTM132270BBF 数据手册

MTM132270BBF

Silicon N-channel MOSFET

Unit: mm

For switching

Features

y Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ = 85 mΩ (VGS = 4.0 V)

y Low drive voltage: 2.5 V drive

y Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)

Marking Symbol: ET

Packaging

Gate

Source

Drain

MTM132270BBF Embossed type (Thermo-compression sealing):

3 000 pcs / reel (standard)

Panasonic

JEITA

Mini3-G3-B

SC-59A

Code

TO-236AA/SOT-23

■ Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Internal Connection

Parameter

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain Current

Symbol

VDS

VGS

Rating

2.0

Unit

Drain Current(Pulsed) ^*1

Power Dissipation ^*2

Channel Temperature

Storage Temperature

IDp

Tch

Tstg

8.0

700

150

°C

-55 to +150

Note: *1

Pulse width = 10 μs, Duty cycle ≤ 1 %

Measuring on ceramic board at 40 mm × 38 mm × 0.1 mm.

Absolute maximum rating PD Non-heat sink shall be made 200 mW.

Pin name

Gate

Source

Drain

Publication date: October 2012

Ver. EED

12 3 4 5 6 7

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与MTM132270BBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM13N50E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MTM15624	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
MTM15N05L	MOTOROLA	获取价格	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM15N06L	MOTOROLA	获取价格	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM15N20	MOTOROLA	获取价格	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM15N20	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1
MTM15N30	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1
MTM15N35	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
MTM15N40	MOTOROLA	获取价格	15A, 400V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
MTM15N40	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET P-CH 20V 2.1A 5-Pin Mini5-G1