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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.16 | 雪崩能效等级（Eas）： | 54 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD6N20ET4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK |
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| MTD6N20E-T4 | ROCHESTER |
获取价格 |
6A, 200V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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| MTD6N20ET4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK |
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| MTD6N20ET5G | ONSEMI |
获取价格 |
6A, 200V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPA |
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| MTD6P10E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM |
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| MTD6P10EG | ONSEMI |
获取价格 |
6A, 100V, 0.66ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| MTD6P10ET4 | ONSEMI |
获取价格 |
6A, 100V, 0.66ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| MTD6P10E-T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 100V, 0.66ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| MTD6P10ET4G | ONSEMI |
获取价格 |
6A, 100V, 0.66ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| MTD7030 | MARKTECH |
获取价格 |
PHOTO DIODE |
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