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MTD6P10ET4 PDF预览

MTD6P10ET4

更新时间： 2024-09-12 19:10:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
12页 114K
描述
6A, 100V, 0.66ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3

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MTD6P10ET4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.31其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.66 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTD6P10ET4 数据手册

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MTD6P10E  
Preferred Device  
Power MOSFET  
6 Amps, 100 Volts  
P–Channel DPAK  
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the  
avalanche and commutation modes. The energy efficient design also  
offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for  
low voltage, high speed switching applications in power supplies,  
converters and PWM motor controls, these devices are particularly  
well suited for bridge circuits where diode speed and commutating  
safe operating areas are critical and offer additional safety margin  
against unexpected voltage transients.  
http://onsemi.com  
6 AMPERES  
100 VOLTS  
R
= 660 mΩ  
DS(on)  
• Avalanche Energy Specified  
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a  
Discrete Fast Recovery Diode  
P–Channel  
D
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
• I  
and V Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
S
Drain–to–Source Voltage  
V
DSS  
100  
Vdc  
MARKING  
DIAGRAM  
Drain–to–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
100  
Vdc  
GS  
DGR  
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
V
± 15  
± 20  
Vdc  
Vpk  
GS  
4
– Non–repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
YWW  
T
6P10E  
p
CASE 369A  
DPAK  
STYLE 2  
Drain Current  
– Continuous  
– Continuous @ 100°C  
2
3
1
I
D
I
D
6.0  
3.9  
18  
Adc  
Apk  
– Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Y
= Year  
WW  
T
= Work Week  
= MOSFET  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C, when  
P
D
50  
0.4  
1.75  
Watts  
W/°C  
Watts  
A
mounted to minimum recommended pad  
size  
PIN ASSIGNMENT  
4
Drain  
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
J stg  
–55 to  
150  
°C  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
180  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
(V  
= 25 Vdc, V  
= 10 Vdc,  
GS  
DD  
= 6.0 Apk, L = 10 mH, R = 25 Ω)  
I
L
1
2
3
G
Gate  
Drain Source  
Thermal Resistance  
– Junction to Case  
– Junction to Ambient  
– Junction to Ambient, when mounted to  
minimum recommended pad size  
°C/W  
°C  
R
R
R
2.50  
100  
71.4  
θJC  
θJA  
θJA  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
DPAK  
Shipping  
75 Units/Rail  
Maximum Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10  
seconds  
T
260  
MTD6P10E  
L
MTD6P10ET4  
DPAK  
2500 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 1  
MTD6P10E/D  
1234567...12

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MTD6P10ET4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTD5P06VT4G ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，单 P 沟道，DPAK
MTD5N25ET4 ONSEMI

功能相似

 5A, 250V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

与MTD6P10ET4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTD6P10E-T4 MOTOROLA

获取价格

 		6A, 100V, 0.66ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6P10ET4G ONSEMI

获取价格

 		6A, 100V, 0.66ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
MTD7030 MARKTECH

获取价格

 		PHOTO DIODE
MTD7030A MARKTECH

获取价格

 		PHOTO DIODE
MTD8000D1 MARKTECH

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 		Photo Transistor,
MTD8000D3 MARKTECH

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 		Photo Transistor,
MTD8000M3B-T MARKTECH

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 		Peak Sensitivity Wavelength: 880nm
MTD8000N MARKTECH

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 		Optical Switches, Edge Sensing
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