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MTD8N06E

更新时间： 2024-09-14 22:19:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 189K
描述
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM

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MTD8N06E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.31外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MTD8N06E 数据手册

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by MTD8N06E/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
TMOS POWER FET  
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate  
8.0 AMPERES  
60 VOLTS  
This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high  
energy in the avalanche and commutation modes. The new energy  
efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast  
recovery time. Designed for low voltage, high speed switching  
applications in power supplies, converters and PWM motor  
controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits  
where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer additional safety margin against unexpected  
voltage transients.  
R
= 0.12 OHM  
DS(on)  
D
•
•
Avalanche Energy Specified  
Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete  
Fast Recovery Diode  
G
•
•
•
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
CASE 369A–13, Style 2  
DPAK  
I
and V  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
Surface Mount Package Available in 16 mm, 13–inch/2500  
Unit Tape & Reel, Add T4 Suffix to Part Number  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain–Source Voltage  
V
60  
Vdc  
Vdc  
DSS  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
Gate–Source Voltage — Continuous  
V
DGR  
60  
GS  
V
±20  
±30  
Vdc  
Vpk  
GS  
Gate–Source Voltage — Non–Repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
p
Drain Current — Continuous  
I
I
8.0  
6.4  
24  
Adc  
Apk  
D
D
— Continuous @ 100°C  
— Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C, when mounted to minimum recommended pad size  
P
D
40  
0.32  
1.75  
Watts  
W/°C  
Watts  
A
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
stg  
–55 to 150  
96  
°C  
J
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche Energy — Starting T = 25°C  
E
AS  
mJ  
J
(V  
DD  
= 25 Vdc, V  
= 10 Vdc, I = 8.0 Apk, L = 3.0 mH, R = 25 Ω)  
GS L G  
Thermal Resistance — Junction to Case  
— Junction to Ambient  
R
θJC  
R
θJA  
R
θJA  
3.13  
100  
71.4  
°C/W  
— Junction to Ambient, when mounted to minimum recommended pad size  
Maximum Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
L
260  
°C  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
E–FET and Designer’s are trademarks of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...10

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