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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> MTD9N10ET4
MTD9N10ET4 PDF预览

MTD9N10ET4

更新时间： 2024-11-24 03:28:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 113K
描述
POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTS

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MTD9N10ET4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MTD9N10ET4 数据手册

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MTD9N10E  
Preferred Device  
Power MOSFET  
9 Amps, 100 Volts  
N–Channel DPAK  
This advanced Power MOSFET is designed to withstand high  
energy in the avalanche and commutation modes. The new energy  
efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast  
recovery time. Designed for low voltage, high speed switching  
applications in power supplies, converters and PWM motor controls,  
these devices are particularly well suited for bridge circuits where  
diode speed and commutating safe operating areas are critical and  
offer additional safety margin against unexpected voltage transients.  
http://onsemi.com  
9 AMPERES  
100 VOLTS  
R
= 250 mΩ  
DS(on)  
• Avalanche Energy Specified  
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a  
Discrete Fast Recovery Diode  
N–Channel  
D
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
• Replaces MTD6N10  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
MARKING  
DIAGRAM  
V
DSS  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
100  
GS  
4
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
YWW  
T9  
N10E  
CASE 369A  
DPAK  
STYLE 2  
V
± 20  
± 30  
Vdc  
Vpk  
GS  
2
3
– Non–Repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
1
p
Drain Current – Continuous  
Drain Current – Continuous @ 100°C  
Drain Current – Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
I
9.0  
5.0  
27  
Adc  
Apk  
D
D
Y
WW  
T9  
= Year  
= Work Week  
= MOSFET  
I
p
DM  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C, when  
P
40  
0.32  
1.75  
Watts  
W/°C  
Watts  
D
PIN ASSIGNMENT  
A
mounted to minimum recommended pad  
size  
4
Drain  
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
J stg  
–55 to  
150  
°C  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
40  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
(V  
= 25 Vdc, V  
= 10 Vdc,  
GS  
1
2
3
DD  
= 9.0 Apk, L = 1.0 mH, R = 25 Ω)  
I
L
Gate  
Drain Source  
G
Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
ORDERING INFORMATION  
– Junction to Case  
– Junction to Ambient  
– Junction to Ambient, when mounted  
to minimum recommended pad size  
R
R
R
3.13  
100  
71.4  
θJC  
θJA  
θJA  
Device  
Package  
DPAK  
Shipping  
75 Units/Rail  
MTD9N10E  
Maximum Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10  
seconds  
T
260  
L
MTD9N10E1  
MTD9N10ET4  
DPAK  
75 Units/Rail  
DPAK  
2500 Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
February, 2001 – Rev. 4  
MTD9N10E/D  
1234567...12

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MTD9N10ET4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTD9N10E ONSEMI

类似代替

 POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTS
NTD6416ANT4G ONSEMI

功能相似

 N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m

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