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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD9N10EG | ONSEMI |
获取价格 |
9A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTD9N10ET4 | ONSEMI |
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POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTS |
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| MTD9N10ET4 | ROCHESTER |
获取价格 |
9A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTDA02A1 | ADAM-TECH |
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HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTDA02A2 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTDA02B1 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTDA02B2 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTDA02C1 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTD-A-02-C-1 | ADAM-TECH |
获取价格 |
Board Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), 0.1 inch Pitch, Wire Terminal, Locking, Natural I |
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| MTDA02C2 | ADAM-TECH |
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HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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