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MTD9N10ET4

更新时间: 2024-11-05 20:25:19
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 929K
描述
9A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3

MTD9N10ET4 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CASE 369A-13, DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.16Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):40 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.25 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):27 A认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MTD9N10ET4 数据手册

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