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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD9N10E1 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTS |
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| MTD9N10E1 | ROCHESTER |
获取价格 |
9A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTD9N10E-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MTD9N10EG | ONSEMI |
获取价格 |
9A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTD9N10ET4 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTS |
|
| MTD9N10ET4 | ROCHESTER |
获取价格 |
9A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MTDA02A1 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTDA02A2 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTDA02B1 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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| MTDA02B2 | ADAM-TECH |
获取价格 |
HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE |
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