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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最大暗电源： | 30 nA | JESD-609代码： | e0 |
| 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT | 最高工作温度： | 80 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 光电设备类型： | PIN PHOTODIODE |
| 最长响应时间： | 1e-7 s | 最大反向电压： | 20 V |
| 半导体材料： | Silicon | 子类别： | Photo Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTD7030A | MARKTECH |
获取价格 |
PHOTO DIODE |
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| MTD8000D1 | MARKTECH |
获取价格 |
Photo Transistor, |
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| MTD8000D3 | MARKTECH |
获取价格 |
Photo Transistor, |
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| MTD8000M3B-T | MARKTECH |
获取价格 |
Peak Sensitivity Wavelength: 880nm |
|
| MTD8000N | MARKTECH |
获取价格 |
Optical Switches, Edge Sensing |
|
| MTD8000N_2 | MARKTECH |
获取价格 |
Optical Switches, Edge Sensing |
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| MTD8000N4T | MARKTECH |
获取价格 |
Peak Sensitivity Wavelength: 880nm |
|
| MTD8000N4-T | MARKTECH |
获取价格 |
Peak Sensitivity Wavelength: 880nm |
|
| MTD8000NW | MARKTECH |
获取价格 |
Photo Transistor |
|
| MTD8000P | MARKTECH |
获取价格 |
Metal Can Photo Transistor |
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