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MRF8P20160HSR3

更新时间： 2024-01-01 23:22:44
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 874K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF8P20160HSR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-XDFP-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.65其他特性：ESD PROTECTED
外壳连接：SOURCE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-XDFP-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：225 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF8P20160HSR3 数据手册

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Document Number: MRF8P2160H  
Rev. 1, 7/2010  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
MRF8P20160HR3  
MRF8P20160HSR3  
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1880 to  
2025 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base  
station modulation formats.  
•
Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts,  
IDQA = 550 mA, VGSB = 1.6 Vdc, Pout = 37 Watts Avg., IQ Magnitude  
Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 9.9 dB @  
0.01% Probability on CCDF.  
1880--2025 MHz, 37 W AVG., 28 V  
SINGLE W--CDMA  
LATERAL N--CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
η
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
1880 MHz  
1900 MHz  
1920 MHz  
(dB)  
16.5  
16.6  
16.5  
(%)  
44.8  
45.3  
45.8  
7.0  
6.9  
6.9  
--29.8  
--30.1  
--30.6  
CASE 465M--01, STYLE 1  
N I -- 7 8 0 -- 4  
•
•
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 1900 MHz, 150 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
Typical Pout @ 3 dB Compression Point ≃ 160 Watts CW  
)
MRF8P20160HR3  
2025 MHz  
•
Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts,  
IDQA = 550 mA, VGSB = 1.6 Vdc, Pout = 37 Watts Avg., IQ Magnitude  
Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 9.9 dB @  
0.01% Probability on CCDF.  
CASE 465H--02, STYLE 1  
NI--780S--4  
G
(dB)  
η
(%)  
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
MRF8P20160HSR3  
Frequency  
2025 MHz  
15.3  
44.0  
6.8  
--30.0  
Features  
•
•
•
Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration  
100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
Characterized with Large--Signal Load--Pull Parameters and Common  
Source S--Parameters  
Internally Matched for Ease of Use  
Integrated ESD Protection  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
RoHS Compliant  
NI--780--4 in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
NI--780S--4 in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.  
RF /V  
RF /V  
outA DSA  
3
4
1
2
inA GSA  
•
•
•
RF /V  
inB GSB  
RF /V  
outB DSB  
(Top View)  
•
•
•
Figure 1. Pin Connections  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
--0.5, +65  
--6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Drain--Source Voltage  
V
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
DSS  
Gate--Source Voltage  
V
GS  
DD  
Operating Voltage  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
-- 65 to +150  
150  
T
C
°C  
(1,2)  
T
J
225  
°C  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2010. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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