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MRF8P9040NR1 PDF预览

MRF8P9040NR1

更新时间： 2024-01-02 12:34:46
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
23页 910K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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MRF8P9040NR1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-270
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.65
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-270
JESD-30 代码：R-PDFM-F4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：225 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF8P9040NR1 数据手册

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Document Number: MRF8P9040N  
Rev. 1, 10/2010  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
MRF8P9040NR1  
MRF8P9040GNR1  
MRF8P9040NBR1  
Designed for CDMA, W--CDMA and LTE base station applications with  
frequencies from 700 to 1000 MHz. Can be used in Class AB and Class C for  
all typical cellular base station modulation formats.  
Driver Application — 900 MHz  
•
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
320 mA, Pout = 4.0 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
=
728--960 MHz, 4.0 W AVG., 28 V  
CDMA, W--CDMA, LTE  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
LATERAL N--CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
η
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
920 MHz  
940 MHz  
960 MHz  
(dB)  
18.9  
19.1  
19.1  
(%)  
18.9  
19.5  
19.9  
--49.6  
--50.1  
--48.8  
CASE 1486--03, STYLE 1  
T O -- 2 7 0 W B -- 4  
•
•
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 63 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for  
Enhanced Ruggedness  
PLASTIC  
MRF8P9040NR1  
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 42 Watts CW  
Driver Application — 700 MHz  
•
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
320 mA, Pout = 4.0 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
=
CASE 1487--05, STYLE 1  
T O -- 2 7 0 W B -- 4 G U L L  
PLASTIC  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
MRF8P9040GNR1  
G
η
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
728 MHz  
748 MHz  
768 MHz  
(dB)  
19.9  
20.1  
20.0  
(%)  
18.7  
19.1  
19.5  
--49.9  
--50.0  
--49.9  
CASE 1484--04, STYLE 1  
T O -- 2 7 2 W B -- 4  
Features  
PLASTIC  
MRF8P9040NBR1  
•
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
and Common Source S--Parameters  
•
•
•
Internally Matched for Ease of Use  
Integrated ESD Protection  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
RF /V  
RF /V  
outA DSA  
inA GSA  
3
4
2
1
•
•
•
•
•
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
Optimized for Doherty Applications  
RF /V  
inB GSB  
RF /V  
outB DSB  
225°C Capable Plastic Package  
RoHS Compliant  
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13 inch Reel.  
(Top View)  
Note: Exposed backside of the package is  
the source terminal for the transistors.  
Figure 1. Pin Connections  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2010. All rights reserved.  
1234567...23

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MRF8P9040NR1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MRF8P9040NBR1 NXP

完全替代

 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CAS

与MRF8P9040NR1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF8P9300HR6 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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