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MRF8S18260HSR6

更新时间： 2024-02-16 11:25:37
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
14页 505K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF8S18260HSR6 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.63外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF8S18260HSR6 数据手册

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Document Number: MRF8S18260H  
Rev. 1, 2/2012  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
MRF8S18260HR6  
MRF8S18260HSR6  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
Designed for CDMA and multicarrier base station applications with  
frequencies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for  
all typical cellular base station modulation formats.  
•
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 30 Volts, IDQ  
1600 mA, Pout = 74 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
=
1805--1880 MHz, 74 W AVG., 30 V  
SINGLE W--CDMA  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
LATERAL N--CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
η
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
1805 MHz  
1840 MHz  
1880 MHz  
(dB)  
17.9  
17.9  
17.9  
(%)  
31.6  
31.9  
32.5  
6.0  
6.0  
5.9  
--35.0  
--36.0  
--36.0  
•
•
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 1840 MHz, 374 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 260 Watts CW  
CASE 375I--04  
NI--1230--8  
MRF8S18260HR6  
)
Features  
•
•
100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
and Common Source S--Parameters  
•
•
•
•
•
•
Internally Matched for Ease of Use  
Integrated ESD Protection  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation  
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
Optimized for Doherty Applications  
CASE 375J--03  
NI--1230S--8  
MRF8S18260HSR6  
In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
1
2
8
7
N.C.  
RF /V  
VBW  
Symbol  
Value  
--0.5, +65  
--6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
RF /V  
out DS  
Drain--Source Voltage  
Gate--Source Voltage  
V
in GS  
DSS  
V
V
GS  
DD  
3
4
6
5
RF /V  
in GS  
RF /V  
out DS  
Operating Voltage  
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
--65 to +150  
150  
VBW  
N.C.  
T
C
°C  
(Top View)  
(1,2)  
T
J
225  
°C  
Figure 1. Pin Connections  
CW Operation @ T = 25°C  
CW  
420  
3.5  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
(2,3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
Case Temperature 81°C, 74 W CW, 30 Vdc, I  
Case Temperature 88°C, 260 W CW , 30 Vdc, I = 1600 mA, 1805 MHz  
= 1600 mA, 1805 MHz  
0.27  
0.26  
DQ  
(4)  
DQ  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
4. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2010, 2012. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF8S19140HR3 NXP

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 		L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 465-06, NI-780, 2 PIN
MRF8S19140HSR3 ROCHESTER

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 		L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780, 2 PIN
MRF8S19140HSR3 NXP

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 		Single CDMA, W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990 MHz, 34 W Avg., 28 V
MRF8S19260H FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors
MRF8S19260HSR6 NXP

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 		2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 375J-02, NI-1230S
MRF8S21100HR3 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF8S21100HSR3 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF8S21120HSR3 NXP

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 		W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 28 W Avg., 28 V
MRF8S21140HR3 NXP

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 		W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 34 W Avg., 28 V
MRF8S21140HSR3 NXP

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