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MRF8S26120HR3 PDF预览

MRF8S26120HR3

更新时间： 2024-09-29 19:27:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器LTE晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 560K
描述
Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2620-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V

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MRF8S26120HR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.7外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：225 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF8S26120HR3 数据手册

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Document Number: MRF8S26120H  
Rev. 0, 6/2010  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
MRF8S26120HR3  
MRF8S26120HSR3  
Designed for W--CDMA and LTE base station applications with frequencies  
from 2620 to 2690 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical  
cellular base station modulation formats.  
•
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts,  
IDQ = 900 mA, Pout = 28 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
2620--2690 MHz, 28 W AVG., 28 V  
W--CDMA, LTE  
LATERAL N--CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
(dB)  
η
(%)  
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
2620 MHz  
2655 MHz  
2690 MHz  
15.5  
15.5  
15.6  
31.5  
31.1  
31.1  
6.3  
6.3  
6.2  
--38.0  
--37.3  
--36.7  
•
•
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2655 MHz, 135 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 110 Watts CW  
CASE 465--06, STYLE 1  
NI--780  
)
MRF8S26120HR3  
Features  
•
•
100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
and Common Source S--Parameters  
CASE 465A--06, STYLE 1  
NI--780S  
•
•
•
Internally Matched for Ease of Use  
Integrated ESD Protection  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
MRF8S26120HSR3  
•
•
•
•
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
Optimized for Doherty Applications  
RoHS Compliant  
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
--0.5, +65  
--6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain--Source Voltage  
V
DSS  
Gate--Source Voltage  
V
GS  
DD  
Operating Voltage  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
--65 to +150  
150  
T
C
°C  
(1,2)  
T
J
225  
°C  
CW Operation @ T = 25°C  
CW  
141  
W
C
Derate above 25°C  
0.78  
W/°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
(2,3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
°C/W  
JC  
Case Temperature 72°C, 28 W CW, 28 Vdc, I = 900 mA, 2690 MHz  
0.53  
0.47  
DQ  
(4)  
Case Temperature 85°C, 110 W CW , 28 Vdc, I = 900 mA, 2690 MHz  
DQ  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
4. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2010. All rights reserved.  
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MRF8S26120HR3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MRF8S26120HSR3 NXP

完全替代

 Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2620-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V
AFT26H160-4S4R3 NXP

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