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MRF8S9200NR3

更新时间： 2024-02-22 06:32:22
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
页数 文件大小 规格书
13页 288K
描述
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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MRF8S9200NR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.72Is Samacsys：N
其他特性：ESD PROTECTED外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：70 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：225 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF8S9200NR3 数据手册

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Document Number: MRF8S9200N  
Rev. 0, 8/2009  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistor  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET  
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to  
960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base  
station modulation formats.  
MRF8S9200NR3  
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
=
1400 mA, Pout = 58 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
920-960 MHz, 58 W AVG., 28 V  
SINGLE W-CDMA  
G
h
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
920 MHz  
940 MHz  
960 MHz  
(dB)  
19.9  
19.9  
19.5  
(%)  
37.7  
37.1  
36.8  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFET  
6.1  
6.1  
6.0  
-36.2  
-36.6  
-36.0  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 200 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for  
Enhanced Ruggedness  
• Typical Pout @ 1 dB Compression Point ] 200 Watts CW  
Features  
• 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
and Common Source S-Parameters  
CASE 2021-01, STYLE 1  
OM-780-2  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Integrated ESD Protection  
PLASTIC  
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
• 225°C Capable Plastic Package  
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
• Optimized for Doherty Applications  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +70  
-6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Operating Voltage  
V
DSS  
V
GS  
DD  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
T
stg  
-65 to +150  
150  
T
°C  
C
(1,2)  
Operating Junction Temperature  
T
225  
°C  
J
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
(2,3)  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Case Temperature 80°C, 58 W CW  
Case Temperature 80°C, 200 W CW  
R
θ
JC  
°C/W  
0.30  
0.25  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2009. All rights reserved.  
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MRF8S9200NR3_10 FREESCALE

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