5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MRF8S9220HSR3
MRF8S9220HSR3 PDF预览

MRF8S9220HSR3

更新时间： 2024-02-21 03:24:36
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
页数 文件大小 规格书
14页 347K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

MRF8S9220HSR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.67Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：225 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF8S9220HSR3 数据手册

 浏览型号MRF8S9220HSR3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF8S9220HSR3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF8S9220HSR3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF8S9220HSR3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF8S9220HSR3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MRF8S9220HSR3的Datasheet PDF文件第7页 
Document Number: MRF8S9220H  
Rev. 0, 11/2009  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
MRF8S9220HR3  
MRF8S9220HSR3  
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to  
960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base  
station modulation formats.  
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
=
920-960 MHz, 65 W AVG., 28 V  
SINGLE W-CDMA  
1600 mA, Pout = 65 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on  
CCDF.  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
h
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
920 MHz  
940 MHz  
960 MHz  
(dB)  
19.7  
19.8  
19.4  
(%)  
35.1  
35.3  
35.7  
6.1  
6.2  
6.1  
-37.4  
-37.5  
-37.4  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 317 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for  
Enhanced Ruggedness  
CASE 465-06, STYLE 1  
NI-780  
MRF8S9220HR3  
• Typical Pout @ 1 dB Compression Point ] 220 Watts CW  
Features  
• 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
and Common Source S-Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Integrated ESD Protection  
CASE 465A-06, STYLE 1  
NI-780S  
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
MRF8S9220HSR3  
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
• Optimized for Doherty Applications  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +70  
-6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Operating Voltage  
V
DSS  
V
GS  
DD  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
T
stg  
-65 to +150  
150  
T
C
°C  
(1,2)  
Operating Junction Temperature  
T
J
225  
°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
(2,3)  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
°C/W  
θ
JC  
Case Temperature 81‘°C, 65 W CW, 28 Vdc, I = 1600 mA  
0.39  
0.32  
DQ  
Case Temperature 81°C, 220 W CW, 28 Vdc, I = 1600 mA  
DQ  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2009. All rights reserved.  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与MRF8S9220HSR3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF8S9232NR3 NXP

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 2021-03, 2 PIN
MRF8S9260HR3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF8S9260HSR3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF8VP13350GN NXP

获取价格

 		RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V
MRF8VP13350N NXP

获取价格

 		RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V
MRF9002NR2 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9002R2 MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistor Array
MRF9002RS MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY
MRF901 ASI

获取价格

 		NPN SILICON RF TRANSISTOR
MRF9011 MOTOROLA

获取价格

 		The Rf Line NPN Silicon High-Frequency Transistor

与MRF8S9220HSR3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证