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MRF8S9202NR3

更新时间： 2024-01-22 10:09:07
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
14页 392K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF8S9202NR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-PDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.64Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDFP-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：225 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF8S9202NR3 数据手册

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Document Number: MRF8S9260H  
Rev. 1, 2/2012  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
MRF8S9260HR3  
MRF8S9260HSR3  
Designed for CDMA and multicarrier GSM base station applications with  
frequencies from 865 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all  
typical cellular base station modulation formats.  
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts,  
920--960 MHz, 75 W AVG., 28 V  
SINGLE W--CDMA  
I
DQ = 1700 mA, Pout = 75 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
LATERAL N--CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
920 MHz  
940 MHz  
960 MHz  
(dB)  
18.8  
18.7  
18.6  
(%)  
36.0  
37.0  
38.5  
6.3  
6.2  
5.9  
--39.5  
--38.6  
--37.1  
Capable of Handling 7:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 380 Watts CW (1)  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for  
Enhanced Ruggedness  
CASE 465B--04  
NI--880  
MRF8S9260HR3  
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 260 Watts CW  
Features  
100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
and Common Source S--Parameters  
Internally Matched for Ease of Use  
Integrated ESD Protection  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation  
Optimized for Doherty Applications  
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
CASE 465C--03  
NI--880S  
MRF8S9260HSR3  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
--0.5, +70  
--6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C  
Drain--Source Voltage  
V
DSS  
Gate--Source Voltage  
V
GS  
DD  
Operating Voltage  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
--65 to +150  
150  
T
C
C  
(2,3)  
T
J
225  
C  
CW Operation @ T = 25C  
Derate above 25C  
CW  
280  
1.5  
W
W/C  
C
Table 2. Thermal Characteristics  
(3,4)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
C/W  
JC  
Case Temperature 80C, 75 W CW, 28 Vdc, I = 1800 mA  
0.37  
0.31  
DQ  
Case Temperature 80C, 265 W CW, 28 Vdc, I = 1100 mA  
DQ  
1. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.  
2. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
3. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
4. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2009, 2012. All rights reserved.  
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与MRF8S9202NR3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF8S9220HR3 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF8S9232NR3 NXP

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 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 2021-03, 2 PIN
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