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MRF8S9100HSR3

更新时间： 2024-01-17 06:50:07
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
页数 文件大小 规格书
14页 294K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF8S9100HSR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.71Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：225 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF8S9100HSR3 数据手册

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Document Number: MRF8S9100H  
Rev. 0, 9/2009  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
MRF8S9100HR3  
MRF8S9100HSR3  
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with  
frequencies from 865 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all  
typical cellular base station modulation formats.  
• Typical GSM Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 500 mA, Pout  
=
72 Watts CW  
920-960 MHz, 72 W CW, 28 V  
GSM, GSM EDGE  
G
h
D
ps  
Frequency  
920 MHz  
940 MHz  
960 MHz  
(dB)  
19.3  
19.3  
19.1  
(%)  
51.6  
52.9  
54.1  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 133 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
)
• Typical Pout @ 1 dB Compression Point ] 108 Watts CW  
CASE 465-06, STYLE 1  
NI-780  
• Typical GSM EDGE Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 700 mA, Pout  
=
MRF8S9100HR3  
45 Watts Avg.  
SR1  
@ 400 kHz  
(dBc)  
SR2  
@ 600 kHz  
(dBc)  
G
h
EVM  
(% rms)  
ps  
D
Frequency  
920 MHz  
940 MHz  
960 MHz  
(dB)  
19.1  
19.1  
19.0  
(%)  
43  
44  
45  
-64.1  
-63.6  
-62.8  
-74.5  
-74.6  
-75.1  
1.8  
CASE 465A-06, STYLE 1  
NI-780S  
2.0  
MRF8S9100HSR3  
2.3  
Features  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
and Common Source S-Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Integrated ESD Protection  
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +70  
-6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Operating Voltage  
V
DSS  
V
GS  
DD  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
T
stg  
-65 to +150  
150  
T
°C  
C
(1,2)  
Operating Junction Temperature  
T
225  
°C  
J
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2009. All rights reserved.  
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