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MRF8S21140HR3

更新时间： 2024-01-26 22:46:54
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器LTE晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 270K
描述
W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 34 W Avg., 28 V

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MRF8S21140HR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.68外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：225 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF8S21140HR3 数据手册

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Document Number: MRF8S21140H  
Rev. 0, 5/2010  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
MRF8S21140HR3  
MRF8S21140HSR3  
Designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies  
from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical  
cellular base station modulation formats.  
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
970 mA, Pout = 34 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
=
2110-2170 MHz, 34 W AVG., 28 V  
W-CDMA, LTE  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
h
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
2110 MHz  
2140 MHz  
2170 MHz  
(dB)  
17.7  
17.9  
18.1  
(%)  
32.1  
31.7  
31.7  
6.2  
6.4  
6.4  
-37.0  
-37.5  
-37.5  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2140 MHz, 188 Watts CW (1)  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
)
CASE 465-06, STYLE 1  
NI-780  
• Typical Pout @ 1 dB Compression Point ] 126 Watts CW  
MRF8S21140HR3  
Features  
• 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
and Common Source S-Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Integrated ESD Protection  
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
CASE 465A-06, STYLE 1  
NI-780S  
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
• Optimized for Doherty Applications  
MRF8S21140HSR3  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +65  
-6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Operating Voltage  
V
DSS  
V
GS  
DD  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
T
stg  
-65 to +150  
150  
T
°C  
C
(2,3)  
Operating Junction Temperature  
T
225  
°C  
J
CW Operation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
CW  
168  
0.86  
W
W/°C  
C
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
(3,4)  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Case Temperature 75°C, 34 W CW, 28 Vdc, I = 970 mA, 2140 MHz  
Case Temperature 80°C, 150 W CW , 28 Vdc, I = 970 mA, 2140 MHz  
DQ  
R
θ
JC  
°C/W  
0.47  
0.42  
DQ  
(1)  
ꢀꢁ1. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.  
ꢁꢀ2. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
ꢁꢀ3. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
ꢁꢀ4. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2010. All rights reserved.  
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与MRF8S21140HR3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF8S21140HSR3 NXP

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 		W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 34 W Avg., 28 V
MRF8S21172HR3 FREESCALE

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 		MRF8S21172HR3
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