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MRF8S21120HSR3

更新时间： 2024-09-27 20:40:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器LTE晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 561K
描述
W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 28 W Avg., 28 V

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MRF8S21120HSR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.64外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：225 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF8S21120HSR3 数据手册

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Document Number: MRF8S21120H  
Rev. 0, 5/2010  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
MRF8S21120HR3  
MRF8S21120HSR3  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
Designed for W--CDMA and LTE base station applications with frequencies  
from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical  
cellular base station modulation formats.  
•
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
850 mA, Pout = 28 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
=
2110--2170 MHz, 28 W AVG., 28 V  
W--CDMA, LTE  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on  
CCDF.  
LATERAL N--CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
η
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
2110 MHz  
2140 MHz  
2170 MHz  
(dB)  
17.4  
17.5  
17.6  
(%)  
34.6  
34.1  
34.0  
6.4  
6.5  
6.4  
--37.5  
--38.0  
--37.6  
•
•
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2140 MHz, 160 Watts CW (1)  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 107 Watts CW (1)  
)
CASE 465--06, STYLE 1  
NI--780  
Features  
MRF8S21120HR3  
•
•
100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
and Common Source S--Parameters  
•
•
•
Internally Matched for Ease of Use  
Integrated ESD Protection  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
CASE 465A--06, STYLE 1  
NI--780S  
•
•
•
•
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
Optimized for Doherty Applications  
RoHS Compliant  
MRF8S21120HSR3  
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
--0.5, +65  
--6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain--Source Voltage  
V
DSS  
Gate--Source Voltage  
V
GS  
DD  
Operating Voltage  
V
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
--65 to +150  
150  
T
C
°C  
(2,3)  
T
J
225  
°C  
CW Operation @ T = 25°C  
CW  
94  
W
C
Derate above 25°C  
0.44  
W/°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
(3,4)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
°C/W  
JC  
Case Temperature 74°C, 28 W CW, 28 Vdc, I  
Case Temperature 80°C, 120 W CW , 28 Vdc, I = 850 mA, 2140 MHz  
= 850 mA, 2140 MHz  
0.53  
0.51  
DQ  
(1)  
DQ  
1. Exceeds recommended operating conditions. See CW operation data in Maximum Ratings table.  
2. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
3. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
4. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2010. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF8S21140HR3 NXP

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 		W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 34 W Avg., 28 V
MRF8S21140HSR3 NXP

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 		W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 34 W Avg., 28 V
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