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MRF8P9300HR6

更新时间： 2024-02-06 01:01:32
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
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15页 369K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF8P9300HR6 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.66Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：70 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：225 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF8P9300HR6 数据手册

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Document Number: MRF8P9300H  
Rev. 0, 11/2009  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
MRF8P9300HR6  
MRF8P9300HSR6  
Designed for CDMA and multicarrier GSM base station applications with  
frequencies from 860 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all  
typical cellular base station modulation formats.  
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
=
2400 mA, Pout = 100 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel  
920-960 MHz, 100 W AVG., 28 V  
SINGLE W-CDMA  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
G
h
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
D
Frequency  
920 MHz  
940 MHz  
960 MHz  
(dB)  
19.6  
19.6  
19.4  
(%)  
35.4  
35.6  
35.8  
6.0  
6.0  
5.9  
-37.3  
-37.1  
-36.7  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 425 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for  
Enhanced Ruggedness  
CASE 375D-05, STYLE 1  
NI-1230  
MRF8P9300HR6  
• Typical Pout @ 1 dB Compression Point ] 326 Watts CW  
Features  
• 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
and Common Source S-Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Integrated ESD Protection  
CASE 375E-04, STYLE 1  
NI-1230S  
MRF8P9300HSR6  
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation  
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems  
• Optimized for Doherty Applications  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
RF /V  
RF /V  
outA DSA  
3
4
1
2
inA GSA  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
-0.5, +70  
-6.0, +10  
32, +0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
°C  
RF /V  
inB GSB  
RF /V  
outB DSB  
V
DSS  
Gate-Source Voltage  
V
GS  
DD  
Operating Voltage  
V
(Top View)  
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
-65 to +150  
150  
Figure 1. Pin Connections  
stg  
T
°C  
C
(1,2)  
T
225  
°C  
J
Table 2. Thermal Characteristics  
(2,3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
Case Temperature 75°C, 100 W CW, 28 Vdc, I = 2400 mA  
0.22  
0.20  
DQ  
Case Temperature 80°C, 300 W CW, 28 Vdc, I = 2400 mA  
DQ  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2009. All rights reserved.  
1234567...15

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