是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.31.00.01 |
风险等级: | 5.73 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 68 V |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | L BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 225 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 530 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MRF6S19200H | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistors |
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MRF6S19200HR3 | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistors |
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MRF6S19200HSR3 | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistors |
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MRF6S20010GNR1 | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistors |
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MRF6S20010NR1 | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistors |
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MRF6S20010NR1_09 | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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